移动LPDRAM - Micron
移动LPDRAM - Micron(美光半导体)产品
在低功耗应用中的性能优化
消费者希望从他们的移动设备的特性和功能，和你预期的设计与更低的功耗，更少的时间，更少的空间。 我们了解这些设计挑战，并提供范围广泛的低功耗移动DRAM部分，以帮助您满足这些。 我们的移动LPDRAM具有低功耗 ， 高性能 ，以及很宽的温度范围内，你需要给你的客户，更大的机动性和更长的电池寿命。
总结 全部零件目录（174）
技术 密度 宽度 RoHS指令 电压 时钟速率 包 运算。 温度。
移动LPDDR
87个产品 128MB ， 256MB ， 的512Mb ， 1Gb的 ， 的2Gb ， 4Gb的 ， 8G的 X16 ， X32 是 1.8V 133兆赫 ， 167兆赫 ， 200兆赫 POP ， VFBGA ， WFBGA 0°C至+70°C ， -25C到+85 ， -40°C至+85°C ， -40°C至+105°C
移动LPDDR2
42个产品 512MB ， 1GB ， 2GB ， 4GB的 的6Gb 的8Gb ， 16Gb的 X16 ， X32 ， X64 绿色 ， 是 1.2V 333兆赫 ， 400兆赫 ， 533兆赫 POP ， UFBGA ， VFBGA ， WFBGA -25C至+85 C ， -40°C至+105°C
移动LPSDR
45个产品 64MB ， 128MB ， 256MB ， 的512Mb ， 1Gb的 X16 ， X32 5/6 ， 是 1.8V ， 2.5V ， 3.3V 125兆赫 ， 133兆赫 ， 167兆赫 VFBGA 0°C至+70°C ， -40°C至+85°C ， -40°C到+95 -40C至+105 C
优点 文档和支持 常见问题 博客
提供多种容量，为许多设计提供了灵活性
允许使用较少的元件，支持宽总线架构
低电压有助于降低功耗标准DRAM的一个关键优势
提供的性能相比，SDR和DDR SDRAM，省电的优势
提供低功耗的待机和工作状态下，再加上特殊的移动功能，以降低功耗，更高效的设计
TCSR：调整刷新时间，以减少电力消耗低，环境温度
增加经营范围为在极端环境下的最佳功能
特色文章
移动DRAM功耗计算器
本技术说明解决了省电功能低功耗移动LPDRAM的内存和功率计算。
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