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MT41K512M8V00HWC1-N002相关型号
Micron美国美光热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MT41K512M8V00HWC1-N002

  • 制造商：Micron Technology Inc.
  • 批号：19+
  • 描述：IC DRAM 4G PARALLEL
  • PDF下载：
  • 库存数量：2000+

优势价格，MT41K512M8V00HWC1-N002的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装散装
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量4Gb （512M x 8）
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率并联
  • 写周期时间 - 字，页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 电源1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C（TC）
  • 安装类型-
  • 封装/外壳-
  • 供应商器件封装-

其它信息

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