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MT47H512M4THN-25E:M TR相关型号
Micron美国美光热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MT47H512M4THN-25E:M TR

  • 制造商：Micron Technology Inc.
  • 批号：19+
  • 描述：IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，MT47H512M4THN-25E:M TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量2Gb （512M x 4）
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400MHz
  • 写周期时间 - 字，页15ns
  • 访问时间400ps
  • 电压 - 电源1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度0°C ~ 85°C（TC）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳63-TFBGA
  • 供应商器件封装63-FBGA（8x10）

其它信息

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