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MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR相关型号
Micron美国美光热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

  • 制造商：Micron Technology Inc.
  • 批号：19+
  • 描述：IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ
  • PDF下载：
  • 库存数量：2000+

优势价格，MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术闪存 - NAND
  • 存储容量1Tb （128G x 8）
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333MHz
  • 写周期时间 - 字，页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 电源2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度0°C ~ 70°C（TA）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳132-VBGA
  • 供应商器件封装132-VBGA（12x18）

其它信息

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Micron美国美光的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户

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